各位技术前辈，最近画了一款交错Boost PFC 的PCB，对其中的走线存在一些疑问，麻烦各位评价下优劣。

拓扑：交错Boost 布局：为了考虑散热，整流桥，开关管，整流二极管器件按“一”字靠近板边缘排列 层数：四层 关键布局：开关管和整流二极管之间是热点，布局如下： 第一层：热点 第二层：空着（没有走线） 第三层：主电路功率地 第四层：驱动线 疑问：第一层是热点，第四层是驱动线，第三层是覆铜的功率地。

请问：1、如果有第三层的地做隔离，第一层的热点会对第四层的驱动线造成电场耦合吗？ 2、如果没有第三层的地做隔离，第一层的热点会对第四层的驱动线造成电场耦合吗？ 谢谢各位技术前辈。

最佳答案 nc965 查看完整内容 你这是过度敏感了，对一只MOS而言，热点就是D，它对驱动电路的耦合可以归结为Crss的增加值，它对地的耦合可以归结为Coss的增加值，这些耦合电容都可以在板精确地测量出来，与MOS原生电容相比一般都不在一个数量级，影响是非常有限的，远远小于更换不同型号的MOS带来的影响，大可不必耿耿于怀。

不好意思回复错层了，这是对楼主回的 ... 根据我的经验是一定会，垂直还是平行？您好，是垂直的。

因为有主电路的功率地做隔离，我觉得不一定会吧。

会的，因为功率地也是干扰源。

应该用PE层或者一个GND层（可以用大面积敷铜的脏地）把热点，功率地和驱动信号部分分开。

驱动信号线和功率线垂直。

最好的是驱动信号和功率部分不交叉。

您好，最近布的一块板，前级是交错Boost PFC，后级是LLC。

Boost 部分，驱动线跨过热点，但是第3层有主电路的功率地做屏蔽。

LLC部分，驱动线跨过半桥热点，但是驱动线与半桥热点没有地做隔离。

现在的效果是， Boost驱动线是没有干扰，但是LLC上有干扰。

严格来说，控制电路与主功率电路是隔离的，控制电路没有单点接地到主电路。

那么，主电路的功率地应该算作干净地吧（我没找到干扰来源） 干净地，或者说固定点位用来做屏蔽。

我觉得是可行的，您觉得呢?主功率地因为有大电流流过，较高的di/dt会对外有比较大的干扰。

所以主功率地也算干扰源之一。

您好，主功率地与热点还是有一定的区别的。

热点：电压突变，电流也突变 主功率地：电势不会突变，电流突变。

因此，电流突变会对功率地本身与连接到功率地的器件造成影响， 功率地的较大的di/dt也可以通过寄生电容干扰到其他的走线。

小小总结，多多指导。

感谢您的回复。

你总结的是对的，我是说功率地一般是不作为屏蔽驱动和功率部分的屏蔽层用。

感谢您的回复。

楼下的李工说得还是有道理的感谢您的回复。

这样没有问题，所提问题均可以归结为MOS结电容对待，可以精确测量驱动信号本身就是强劲的干扰源，只有它干扰别人，别人怎么干扰到它呢？板子上MOS驱动电阻放到MOS脚边，GS并个10K电阻，先这么干一版再说；不好意思回复错层了，这是对主题回的你这是过度敏感了，对一只MOS而言，热点就是D，它对驱动电路的耦合可以归结为Crss的增加值，它对地的耦合可以归结为Coss的增加值，这些耦合电容都可以在板精确地测量出来，与MOS原生电容相比一般都不在一个数量级，影响是非常有限的，远远小于更换不同型号的MOS带来的影响，大可不必耿耿于怀。

不好意思回复错层了，这是对楼主回的