移相全桥电路，MOS管采用变压器驱动，没有加母线电压的时候，波形正常，如下图（超前桥臂，上下两个mos管的驱动GS波形） 加了母线电压（400V）以后，MOS管驱动波形畸变，上管信号畸变厉害，下管畸变小，如下图 GS波形畸变，MOS管导通时，顶部有波动不影响MOS管，耐压还可以承受。

MOS管关断时，GS驱动信号底部的波动，最高幅度2V多，很容易使MOS管误开通。

最终的MOS管母线电压要加到600V，波动幅度会更大，前面已经炸了好几次机，现在怀疑是MOS管误开通所致。

这个问题该怎么解决呢？请各位大神指点。

楼主将线路图晒一下，单从描述分析的话大概是线路中尖峰吸收电容或者电路不匹配所致111-3.jpg (106.72 KB, 下载次数: 1)下载附件2021-10-8 15:13 上传https://www.专注于大电流电感设计、制造/bbs/2075574.html建议楼主看看这个资料看了您说的资料，还是一头雾水。

隔直电容，我电路里面有。

辅助电源是电源直接供电的。

能再具体指点一下吗，具体查哪里。

这个驱动电路，没有起到任何作用，还衰减本来15V 信号，由于加速管后面还有R10欧姆 D二极管。

整个电路被衰减信号很多，看上1图， 只有12V多的信号幅度。

上部还倾斜，因为VCC15V给驱动， 1:1:1的驱动变压器变比是合理的，但初级驱动管是晶体管， 相当于1.4V压降， 次级串联二极管0.7V压降，到达MOS 只有12V多的信号幅度， 不加MOS管时，上部倾斜是常见驱动变压器和PWM电流衰减引起的， 加了MOS管以后，由于驱动电流加大， 畸变进一步加剧变成2图波形。

另外，桥式隔离变压器驱动最好还是用驱动集成芯片， 不要用三极管（晶体管），（因为三极管是电流驱动），hhh.jpg (99.86 KB, 下载次数: 1)下载附件2021-10-9 09:23 上传1、查了几个隔离驱动芯片，还需要增加副边的驱动电源，不知道有没有不需要副边驱动电源的芯片。

大师有没有成熟电路推荐一下。

2、波形上部的衰减还能接受，就是底部关断时的干扰，会产生误导通，这个让人头疼。

MC4424驱动芯片不是很好吗/ 不要用自举隔离芯片，（500W以下可以用）不是合大功率电源。

我现在做的是5kw模块，这个用那个驱动芯片合适？我用的是碳化硅MOS管，您前面推荐的电路适用吗？按照推荐电路用了MIC4424，GS波形上升沿200ns，下降沿80ns，但上管还是容易收到母线电压影响。

下图为滞后桥臂，上下管GS波形，绿色为上管，黄色为下管，上管还是存在比较大的畸变，这个怎么进一步消除呢？1111.jpg (229.52 KB, 下载次数: 0)下载附件滞后桥臂上下管GS波形2021-10-14 08:51 上传解释什么啊？这电路不是板有问题就是电路有问题，好好先检查，我都没有做过3KW模块， 你连这个都搞不定还会做5KW的， 真不错。