1. 原理图 2. 蓝色是下桥G极波形，黄色是上桥G极波形，上下桥有短时间的同时导通情况。

3. 蓝色电感输出波形，有较大的尖峰；黄色是上桥G极波形， 请指教！！半桥降压，这名称哪里来的？DF2105 芯片有死区吗？。

没有留死区的话，50% 占空比+50%，上下管开关速度延时肯定出现超过100%， 是不是有重叠。

这是很客观现实。

非隔离降压，为什么不采用BUCK芯片呢？也有同步续流的BUCK芯片。

感谢回复！DF2105 是可设定死区的，我已经设定为400ns；本电路设计输出5V5A的功率，没用BUCK芯片主要是出于成本的考虑。

MOS的GS之间并一个小电容102 222一类的，可以改善。

感谢回复！ 本电路设计输出5V5A的功率，根据你的指导，我在下桥MOS的GS之间并一个472电容，在输出功率小的时候问题没有了，但用到满负荷时情况又出现了。

请指教！上下都要并哦，对对对！我试一下。

再请教一个问题，RC吸收电路对处理这个故障能起到作用吗？这个是MOS分布参数造成的共通，RC吸收是路人啊，吃瓜那种112330zif4fp5tut7gz7g3.gif (1.53 KB, 下载次数: 0)下载附件2021-10-12 15:07 上传看来确实如此，我之前试过不起作用。

解决这个问题除了并电容（会增加管子的发热），还有没有其它办法？加大驱动IC和MOS之间的电阻也有点效果，或者，换寄生参数小的MOS，Ciss小，且和Crss比值大的。

驱动IC和MOS之间的电阻加大后再并二极管，效果也不明显。

下图是管子的参数微信图片_20211012171745.png (66.76 KB, 下载次数: 0)下载附件2021-10-12 17:19 上传此处加入的二极管的是否是肖特基的？应该还是死区没有设置好