H4桥电路，IGBT驱动开通时，受到互补管反向二极管反向恢复的影响，驱动下跌很多，虽然可以增加GS间电容来解决，但是会增加开通损耗，如果不采取措施解决这驱动下跌的问题，长时间运行，产品可靠性、稳定性有没有问题，请教论坛里的各位大侠。

H4全桥用的是英飞凌IKW50N65ES5的管子。

CH1、CH3是互补的驱动，CH2、CH4是另外两个管子的Vce波形。

最佳答案 xkw1cn 查看完整内容 这个跌落；主要是连接半桥的引线电感与米勒电容、输出电容共同作用的结果。

并无大碍也无需理会。

波形图对应说明一下同样的拓扑同样的问题，只要不下跌到门限电压，应该不会误关断，也是通过调节驱动电阻和GS电容减小下跌幅值的，牺牲一下效率，毕竟可靠性更重要嗯嗯，是的上管驱动波形可能是假的，VDS波形没有问题就行希望是的，GS间加4.7nF的电容解决这问题，损耗增加了，划不来，现在是在解决管子的热问题。

上管GS波形不真实的可能性很大，另外，可在下管的E极套高频磁珠试试这个跌落；主要是连接半桥的引线电感与米勒电容、输出电容共同作用的结果。

并无大碍也无需理会。