IDM 最大单脉冲电流（非重复脉冲），反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强，datasheet 给出IDM(pulse)=80A@25°。

MOSFET SOA曲线中有个最大脉冲电流。

求助：这是不是意味着流过管子沟道的峰值电流不能超过80A么？（目前在调整电路的OCP点，不知道放到多少合适，60A ocp点，考虑到保护有延迟，实际保护时刻流到管子电流可能超过60A。

） ？？有人么MOS ID 电流指的是在特定条件下工厂测试电流，只是提供参考，不能当做应用电流。

您的意思是IDM单脉冲最大电流我应用中是可以超过喽？和pulse width相关，还有和Junction温度相关，你可以查看SOA曲线，计算评估我数据手册中好像没有看到IDM和脉宽相关的介绍。

反而在英飞凌的一份设计文档中，他们认为IDM为封装限制线，封装的结构限制了最大脉冲电流。

有这种说法么？我的理解是：根据曲线，并且考虑结温，Idm或者实际Id对应有个Rds_on, 可以算出实际瞬间功率，根据封装的热阻和最大结温以及封装外壳温度也可以算出最大耐受瞬间功率，实际功率不能超封装的耐受功率。

脉冲宽度也可以很宽，只要封装外面加足够大的散热面积。

能保证满足上面的要求。

我的理解是：根据曲线，并且考虑结温，Idm或者实际Id对应有个Rds_on, 可以算出实际瞬间功率，根据封装的热阻和最大结温以及封装外壳温度也可以算出最大耐受瞬间功率，实际功率不能超封装的耐受功率。

或者可以说实际结温不能超过元件最大容许结温。

脉冲宽度也可以很宽，只要封装外面加足够大的散热面积。

能保证满足上面的要求。

您怎么看我在11楼中回复的截图。

11楼上图，是指元件封装内部的物理结构（比如晶圆大小，邦定方式，邦定线大小，根数等）对最大IDM的限制。

对应下图的红线区域。

而在拉OCP电流的时候，实际电流一定要小于上面这个红线值，同时需要考虑这个蓝线区域的实际RDS_on是多少，进行功率和热阻估算。

为了使用可靠性，实际最大结温需要降额到80%以下。

1、如果元件的物理结构决定了IDM限制，即红色的那根线。

物理结构决定的，是不是跟RDSON没有关系了？因为它2、拉OCP电流的时候，实际电流一定要小于上面这个红线值。

样机稳态的时候峰值电流30A，暂态目前能测到的最大峰值电流50~60A，但是不清楚未知的工况会不会产生更大的峰值电流，假如有且超过IDM=80A，会不会炸机？这是我担心的红线区的最大IDM和蓝线区的Rds_ON是与的关系，即两者都要满足。

人家划了红线和蓝色，就一定不要挑战，这是底线。

不建议此设计考虑