如图，图腾柱PFC电路中左边高频侧MOS管，在正（负）半周中其中一个MOS管负责给电感充电，另一个MOS管负责整流。

而负责线路整流的MOS管可以有两种工作模式，第一种是该MOS管不导通，电流通过体二极管；第二种是该MOS管以互补的形式导通，电流通过MOS管。

请问这两种模式哪种模式更好一点？损耗，效率等方面。

最佳答案 zhuliu09 查看完整内容 肯定是以互补的形式开通效率高。

以提二极管的形式工作，效率低很多，不仅是二极管的导通压降高，导致的正向导通损耗大，更重要的是体二极管的反向恢复导致的损耗非常严重，甚至是导致器件损坏。

肯定是Boot 管要开通，反向导通；不然反向压降太大，不论是SiC GaN 还是Si管，都是这样的您好！您的意思是左边桥臂高频管的PWM驱动应该要对称互补的，如果采用SiC的体二极管续流的话，会有较大的反向恢复损耗，我说的对吗？https://zhuanlan.zhihu.com/p/350644021看看这个资料就行感谢回复！肯定是以互补的形式开通效率高。

以提二极管的形式工作，效率低很多，不仅是二极管的导通压降高，导致的正向导通损耗大，更重要的是体二极管的反向恢复导致的损耗非常严重，甚至是导致器件损坏。

你好，最近在看PFC相关的拓扑，之前遇到的一个问题是图腾柱PFC THD较差，全桥PFC的THD较好，图腾柱PFC在电网电压过零极性变化时，由于占空比突变以及结电容放电会把电压瞬间叠加回路中的原因会产生一定的过零电流尖峰，会导致电流THD较差，从网上看的做法一般是做驱动软开，快管在过零以后慢慢增加驱动占空比，做法可以理解，但是感觉对于全桥PFC来讲，过零瞬间的工作状态和图腾柱差不多啊，为什么就不存在过零电流尖峰了呢，希望大佬们帮忙讲解一下，不胜感激，谢谢！